Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si--SiO 2: эксперимент и модели
Емельянов А.М.1, Голубев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
Изучено влияние циклов отжига в водороде и gamma-облучения на электрофизические параметры границы Si-SiO2 МОП структур с термическими пленками SiO2, полученными в ''сухом'' O2. После отжига в водороде в структурах отсутствовала ''память'' о предшествующем gamma-облучении. Развиты модельные представления о механизмах генерации и аннигиляции поверхностных состояний. В соответствии с результатами настоящей статьи генерации поверхностных состояний связана с радиолизом включений воды в объеме SiO2 и распадом групп =Si-H на границе Si-SiO2 при участии радиолитических ионов H+. Предложенные модели качественно объясняют уменьшение плотности поверхностных состояний, вызванное ионизирующим облучением.
- О.В. Вовк, В.П. Лелеченко, В.И. Солошенко. Я.О. Ройзин, В.Н. Чкунина. ФТП, \bf 27, 1349 (1993)
- N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-\bf 37, 1626 (1990)
- N.S. Saks, R.W. Rendell. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 3014 (1992)
- R.E. Stahlbush, B.J. Mrstik, R.K. Lawrence. IEEE Trans. Nucl. Sci., \bf 37, 1641 (1990)
- B.J. Mrstik, R.W. Rendell. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 3012 (1991)
- J.H. Stathis, D.J. DiMaria. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 2887 (1992)
- А.М. Емельянов, В.В. Голубев, В.Г. Коссов. В сб.: \it Тез. докл. III Всес. науч. техн. семинара "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем" (Рязань, 1984) ч. 1, с. 118
- А.М. Емельянов. Микроэлектроника. 15, 434 (1986)
- А.М. Емельянов, В.В. Голубев, Г.О. Карапетян, В.Г. Коссов. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 2, 77 (1988)
- А.М. Емельянов. Тез. докл. конференций. Сер. 6, \it Материалы, "Электрофизика слоистых структур", N 4 (280), 111 (1988)
- В.А. Гуртов. \it Основы физики структур металл--диэлектрик--полупроводник (Петрозаводск, 1983)
- J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins. Adv. Electron.: Electron. Phys., \bf 58, 1 (1982)
- F.J. Feigl, D.R. Young, D.J. DiMaria, S. Lai, J. Calise. J. Appl. Phys., \bf 52, 5665 (1981)
- A. Balasinski, T.P. Ma. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 3170 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
