Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств гетероперехода n-InSe-p-In₄Se₃, изготовленного методом посадки на оптический контакт. Определены изгиб зон на контакте, механизм токопрохождения в барьерной области и спектр фотоответа данного гетероперехода. Данные работы свидетельствуют о возможности использования гетероперехода в спектроскопии ближнего ИК диапазона, 1.0-1.8 мкм, в качестве фотоприемного устройства.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.