Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотовольтаические свойства оптического гетероконтакта InSe/CuAlS₂

Боднарь И.В.¹, Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом посадки на оптический контакт созданы выпрямляющие структуры с фоточувствительностью 10⁴ В/Вт при T=300 K. Широкополосный характер фотовольтаического эффекта достигается при освещении со стороны широкозонной компоненты и наблюдается в интервале 1.1-3.7 эВ. Обсуждается анизотропия фоточувствительности структур и излучательной рекомбинации CuAlS₂ на основании правил отбора для межзонных переходов. Сделан вывод о возможностях практического применения CuAlS₂.

J.L. Shay, J.H. Wernick. \it Ternary Chalcopyrite Semiconductors (Pergamon Press, Oxford, 1975)
\it Topics in Appl. Physics: Electroluminescence, ed. by J.I. Pankove (Springer-Verlag, Berlin, 1977)
S. Shirakata, K. Saiki, S. Isomura. \it Abstracts ICTMC-8 (Kishinev, 1990) p. 66
K. Sato. Abstracts ICTMC-8 (Kishinev, 1990) p. 13
I. Aksenov, T. Kai, K. Sato. \it Abstracts ICTMC-9 (Yokonama, Jahan, 1993) p. 96
V.I. Lipnitskii, V.A. Savchuk, B.V. Korzun, G.I. Makovetskii, G.P. Popelnuk. \it Abstracts ICTMC-9 (Yokohama, Japan, 1993) p. 340
S. Shirakata, I, Aksenov, K. Sato, S. Isomura. Japan. J. Appl. Phys., \bf 31, L1071 (1992)
Н.Н. Константинова, М.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, \bf 26, 588 (1992)
А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. \it Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
\it Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник (М., 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель