Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дефектообразование в кремнии, легированном золотом, при облучении низкоэнергетичными электронами

Феклисова О.В.¹, Якимов Е.Б.¹, Ярыкин Н.А.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 12 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено, что облучение монокристалла кремния, легированного золотом, подпороговыми электронами с энергией в диапазоне 10/25 КэВ приводит к возникновению в приповерхностной области образца на глубине до нескольких микрометров дефектов с глубоким уровнем, расположенным на 0.20 эВ ниже дна зоны проводимости. Установлена индентичность этих дефектов с центрами, образующимися при химическом травлении тех же кристаллов. В качестве возможных причин наблюдаемых явлений обсуждается рекомбинационно-стимулированный вывод атомов золота в межузельное положение или их взаимодействие с атомарным водородом, проникающим в кристалл из адсорбированного слоя воды.

V.V. Aristov, V.V. Kazmiruk, N.G. Ushakov, E.B. Yakimov, S.I. Zaitsev. Vacuum, \bf 38, 1045 (1988)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. \it Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
В.В. Болотов, В.К. Спиридонов, В.М. Эмексузян. Поверхность, вып. \bf 8, 49 (1988)
O.O. Awadelkarim, H. Weman, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., \bf 60, 1974 (1986)
С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов. ФТП, \bf 22, 922 (1988)
И.Н. Яссиевич, В.М. Чистяков. ФТП, 26, 1815 (1992)
S.J. Pearton, J.W. Corbett, J.T. Borenstein. Physica B, \bf 170, 85 (1991)
S.J. Pearton, J.W. Corbett, T.S. Shi. Appl. Phys. A, \bf 43, 153 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель