Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофильтрационной очистки арсина

Валяев В.В.¹, Гуртовой В.Л.¹, Шаповал С.Ю.¹, Киреев В.А.¹, Смирнов Н.В.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия

Поступила в редакцию: 11 марта 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выращены слои GaAs методом МОС гидридной эпитаксии при пониженном давлении с использованием криофильтрационной системы очистки арсина. Использование очистки арсина позволяет снизить на порядок концентрацию свободных носителей и глубоких центров в GaAs. Определена оптимальная рабочая температура очистки. При понижении температуры очистки до оптимальной наблюдается значительное улучшение спектров фотолюминесценции. Оптимизированы условия роста для улучшения качества слоев.

M. Razeghi, F. Omnes, J. Nagle, M. Defour, O. Acher, P. Bove. Appl. Phys. Lett., 55, 1677 (1989)
N. Chand, R.C. Miller, A.M. Sergent, S.K. Sputz, D.V. Lang. Appl. Phys. Lett., 52, 1721 (1988)
J.E. Cunningham, T.H. Chiu, G. Timp, E. Agyekum, W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 53, 1285 (1988)
J.R. Shealy, V.J. Kreismanis, D.K. Wagner, J.M. Woodal. Appl. Phys. Lett., 42, 83 (1983)
P.D. Dapkus, H.M. Manasevit, K.L. Hess, T.S. Low, G.E. Stillman. J. Cryst. Growth, 55, 10 (1981)
T. Ikeda, H. Noda, K. Matsumoto. J. Cryst. Growth, 124, 272 (1992)
A.c. N 184253
A.c. N 1066085
A. Chandra, C.E.C. Wood, W. Woodwart, L.F. Eastman. Sol. St. Electron., 22, 645 (1979)
D.C. Look, C.E. Stutz, K.R. Evans. Appl. Phys. Lett., 56, 668 (1990)
M.H. Kim, S.S. Bose, B.J. Skromme, B. Lee, G.E. Stillman. J. Electron. Mater., 20, 671 (1991)
U. Heim, P. Hiesinger. Phys. St. Sol. B, 66, 461 (1974)
B.J. Skromme, S.S. Bose, B. Lee, T.S. Low, T.R. Lepkowski, R.Y. DeJule, G.E. Stillman. J. Appl. Phys., 58, 4685 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель