Вышедшие номера
Моделирование процессов перетекания при латеральном транспорте в двухъямной наноструктуре
Елесин В.Ф.1, Винокуров О.А.1, Кондрашов В.Е.1, Подливаев А.И.1, Шамраев Б.Н.1
1Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Рассмотрено влияние процессов шунтирования на управление латеральной проводимостью двухъямной наноструктуры. Найдена критическая длина образца, при превышении которой шунтирование становится определяющим.