Отжиг центров зеленой люминесценции сульфида кадмия
Богданюк Н.С.1, Давидюк Г.Е.1, Шаварова А.П.1
1Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 23 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
Электронное облучение высокоомных, специально не легированных монокристаллов CdS (при 290 K) с энергией электронов e=1.2 МэВ и дозой Phi=2.4x 1017 см-2 ведет к увеличению (в 5-7 раз) интенсивности зеленой люминесценции с максимумом излучения при lambdam=514 нм (T=77 K). При отжиге облученных образцов (t ann>100 oC) происходит трансформация изотропных центров зеленой люминесценции в термостабильные анизотропные центры зеленой люминесценции с максимумом излучения при lambdam=522 нм. Вместе с трансформацией центров зеленой люминесценции при t ann>120 oC образуются центры новой люминесценции с lambdam=537 нм, которая достигает максимальной интенсивности при t ann=150 oC и полностью отжигается при t ann=200-220 oC. Исследовалось влияние электронной радиации на центры зеленой люминесценции в низкоомных монокристаллах CdS:Cd. На основании результатов исследований предлагается модель центров зеленой люминесценции в монокристаллах CdS:Cd и в облученных электронами и отоженных образцах CdS. За центры зеленой люминеценции с lambdam=522-524 нм отвечает тример, в состав которого входит пара Френкеля в подрешетке серы монокристалла CdS и межузельный атом кадмия.
- А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. ФТП, 12, 1029 (1978)
- A.P. Galushka, G.E. Davidyk, N.S. Bogdanyk. Phys. Stat. Sol. (\it a), 69, 71 (1982)
- Р.Е. Холстед. В кн.: \it Физика и химия соединений A IIB VI (M., 1970) с. 319
- B.A. Kulp, R.H. Kelley. J. Appl. Phys., 31. 1057 (1960)
- М.К. Шейнкман, А.В. Любченко, Е.А. Сальков, В.Ф. Гринь. ФТП, 9, 1507 (1975)
- И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. ФТП, 2, 1639 (1968)
- Н.М. Кролевец, Н.Е. Корсунская, Т.В. Торчинская, Н.С. Халимова. ФТП, 13, 1824 (1979)
- М.В. Фок. Тр. ФИАН, 59, 3 (1972)
- В.Б. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, 1981)
- Н.Е. Корсунская, Н.М. Кролевец, И.В. Маркевич и др. ФТП, 10, 293 (1976)
- Дж. Уоткинс. В кн.: \it Точечные дефекты в твердых телах (М., 1979) с. 221
- А.М. Шмилевич, Л.Е. Стыс. Г.П. Чемерсюк, В.В. Сердюк. ФТП, 18, 855 (1981)
- D.C. Look. J. Appl. Phys., 45, 492 (1974)
- С.С. Остапенко, М.К. Танатар, М.К. Шейнкман. Опт. и спектр., 48, 778 (1980)
- И.В. Крюкова, В.А. Теплицкий, Е.П. Шульга, Б.Р. Джумаев, Н.Е. Корсунская. ФТП, 26, 1054 (1992)
- В.В. Дякин, Е.А. Сальков, В.А. Хвостов, М.К. Шейнкман. ФТП, 10, 2288 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук