Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поперечный электронный транспорт в туннельно-резонансных структурах с двумерными носителями заряда

Беляев А.Е.¹, Витусевич С.А.¹, Конакова Р.В.¹, Кравченко Л.Н.¹, Ильин И.Ю.¹

¹Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 21 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование условий формирования аккумуляционного слоя в двухбарьерных туннельно-резонансных структурах в зависимости от параметров структуры и приложенного напряжения. Показано, что в тонких структурах (с толщиной барьеров и ямы менее 6 нм) туннельно-резонансный ток обусловлен в основном квазибаллистическим пролетом электронов через структуру при совпадении энергии электрона, налетающего на эмиттерный барьер, с уровнями размерного квантования в яме. Накопление заряда в квантовой яме и связанная с ним токовая бистабильность возникают только при туннелировании электронов, термализованных на уровне размерного квантования в аккумуляционном слое.

Л.В. Иогансен. ЖЭТФ, 47, 270 (1964)
R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22, 562 (1973)
O.H. Hughes et al. J. Vac. Sci. Techn. B, 6, 1161 (1988)
S. Muto, T. Inata, H. Ohnishi, N. Yokoyama, S. Hiyamizu. Japan J. Appl. Phys., 25, L577 (1986)
P.C. Harness, R.E. Pritchard, B. Khamsephour, W.S. Truscott, K.E. Singer. J. Appl. Phys., 71, 3019 (1992)
И.Н. Долманов, В.И. Рыжий, В.И. Толстихин. ФТП, 24, 1574 (1990)
F.W. Sheard, G.A. Toombs. Appl. Phys. Lett., 52, 1228 (1988)
C.Y. Belhadj, K.P. Martin, S. Ben Amor, J.J. L. Rascol, R.J. Higgins. Appl. Phys. Lett., 57, 58 (1990)
V.J. Goldman, D.C. Tsui, J.E. Cunningham. Phys. Rev. Lett., 58, 1256 (1987)
T.J. Foster et al. Phys. Rev. B, 39, 6205 (1989)
А.С. Игнатьев, А.В. Каменев, В.Б. Копылов, Г.З. Немцев, Д.В. Посвянский. ФТП, 27, 769 (1993)
D. Landheer, H.C. Liu, M. Buchanan, R. Stoner. Appl. Phys. Lett., 54, 1784 (1989)
M.L. Leadbeater et al. Superlatt. Microstruct., 6, 59 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель