Эпитаксиальные p- n-структуры из GaAs на Si-подложках: электрические, фотоэлектрические и электролюминесцентные свойства
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Садофьев Ю.Г.1, Топчий А.Н.1, Фалеев Н.Н.1, Федоров Л.М.1, Шерняков Ю.М.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Академии наук Туркменистана,, Ашгабад, Туркменистан
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Созданы эпитаксиальные p-n-структуры из GaAs на Si-подложках с использованием комбинированного метода эпитаксии, т.е. последовательным выращиванием слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе. Результаты исследования характеристики ток (J) - напряжение (U) p-n- GaAs-n-GaAs( b)/n-Si-структур показывают, что в диапазоне температур 77-300 K и плотностей тока 10-8-10-2 А/см2 механизм токопрохождения в прямом направлении туннельно-избыточный. Обратный ток также имеет признаки туннельно-избыточного тока. Спектры фоточувствительности и электролюминесценции p-n- GaAs-n-GaAs( b)/n-Si-структур имеют типичный для обычных p-n-структур из GaAs (без Si-подложки) вид. Инжекционная электролюминесценция в исследованных структурах также типичная и, по-видимому, обусловлена зона-зонной излучательной рекомбинацией носителей заряда.
- H. Mori, M. Ogasawara, M. Yamamoto, M. Tachikawa. Appl. Phys. Lett. 51, 1245 (1987)
- Y. Itoh, T. Nishioka, A. Yamamoto, M. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett., 52, 1617 (1988)
- D.G. Deppe, D.C. Holl, N. Holonjak, R.I. Matji, H. Shihijo, J.E. Epler. Appl. Phys. Lett., 53, 874 (1988)
- В.М. Андреев, В.Г. Антипов, В.С. Калиновский, Р.В. Каллион, С.А. Никишин, С.С. Рувимов, М.В. Степанов, Е.М. Танклевская, В.П. Хвостиков. ФТП, 27, 141 (1993)
- В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров. ФТП. 27, 668 (1993)
- Ю.В. Жиляев, А.Л. Липко, М.Г. Мынбаева, Н. Назаров, Л.М. Федоров. Письма ЖТФ, 19, 30 (1993)
- В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков, ФТП, 27,1319 (1993)
- В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.В. Россин, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. Письма ЖТФ, 19, 61 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук