Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние нейтронного и космического излучения на характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Приводятся результаты исследований радиационной деградации СВЧ характеристик GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Рассчитана и экспериментально измерена деградация коэффициентов усиления и шума ПТШ. Предложена конструкция ПТШ с частичной компенсацией радиационной деградации.
- Г.П. Павлов. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, вып. 1(435), 38 (1991)
- В.Л. Энгль, Х.К. Диркс, Б.Р. Майнерцхаген. \it Моделирование полупроводниковых приборов (М., Мир, 1985)
- Р. Цулег. ТИИИЭР, 77, 24 (1989)
- В.С. Вавилов. \it Действие излучений на полупроводники (М., 1963)
- С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
- M. Reiser. Trans. Electron. Dev., ED-20, 35 (1973)
- W. Batchold, H.J.O. Stuff. Electron. Lett., 4, 346 (1968)
- Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. \it Полевые транзисторы на арсениде галлия (Радио и связь, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
