Генерация электронно-дырочных пар у поверхности полупроводника в краевых полях макроскопических заряженных кластеров: эффекты электрических неоднородностей различных масштабов
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Рассмотрены температурные и полевые зависимости темпа генерации неосновных носителей заряда у электрически неоднородной поверхности полупроводника в условиях, когда рождение электронно-дырочных пар происходит за счет термоавтоэмиссионных переходов зона-зона в краевых полях мелкомасштабных заряженных кластеров. Флуктуации поверхностного потенциала с масштабами, меньшими ширины слоя обеднения в полупроводнике W, играют роль центров локализации неосновных носителей заряда и проявляются в виде аномально узких пиков на кривых температурных зависимостей тока генерации электронно-дырочных пар. Электрические неоднородности с размерами, большими W, приводят к появлению аномально узких пиков на динамической вольт-амперной характеристике МДП структуры, которые невозможно объяснить в рамках представлений об однородной поверхности полупроводника.
- Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма ЖЭТФ, 57, 783 (1993)
- J.G. Simmons, H.A. Mar. Phys. Rev. B, 8, 3865 (1973)
- P.U. Carzolari, S. Graffi, C. Morandi. Sol. St. Electron., 17, 1001 (1974)
- H.A. Mar, J.G. Simmons. Phys. Rev. B, 11, 775 (1975)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984 т. 1.)
- D. Vuillaume, M. Lannoo, J.C. Bourgoin, B. Rosencher. J. Appl. Phys., 66, 5920 (1989)
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. \it MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., 1982)
- А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин, А.М. Сумарока. Микроэлектроника, 22, 54 (1993)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
- Р.Н. Литовский, В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, Т.Е. Руденко. Микроэлектроника, 16, 427 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук