Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности фотоэффекта в резких изотипных N+--n 0--n+-гетероструктурах
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе InP/InGaAs и GaAs/AlxGa1-xAs с тонкой узкозонной областью. Подробно изучены зависимости коэффициента усиления образцов (сформированных в виде вертикальных фотосопротивлений) от полярности и величины приложенного смещения, а также от интенсивности падающего света и температуры. Предлагается объяснение замеченных особенностей в экспериментальных данных.
- R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
- W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
- Л.А. Волков, В.И. Корольков, А.А. Пулатов, И. Рахимов, Т.С. Табаров, Б.С. Явич. Письма ЖТФ, 11, 800 (1985)
- A. Antreasyan, C.Y. Chen. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 188 (1986)
- E.S. Snow, P.M. Campbell, O.J. Glenbocki, W.J. Moore, S.W. Kirchoer. Appl. Phys. Lett., 56, 117 (1990)
- S.R. Forrest, O.K. Kim. Appl. Phys., 52, 5838 (1981)
- P.K. Bhattacharya, H.J. Buhlmann, M. Ilegems, P. Schmid, H. Melchior. Appl. Phys. Lett., 41, 449 (1982)
- В.И. Корольков, В.Г. Никитин, Д.Н. Третьяков. ФТП, 8, 2355 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
