Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние конкурирующих центров преципитации на распределение имплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоев

Качурин Г.А.¹, Тысченко И.Е.¹, Тийс С.А.¹, Плотников А.Е.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Преципитация имплантируемого при 1000^oC азота стимулировалась введением центров осаждения в результате предварительныого облучения ионами N⁺ или Ar⁺ при более низкой температуре. Обнаружены существенные изменения в распределении преципитирующего азота в зависимости от условий предварительного облучения. Эффекты объяснены конкуренцией стоков для примесных атомов и точечных дефектов.

L. Nesbit, S. Stiffler, G. Slusser, H. Vinton. Electrochem. Soc., 132, 2713 (1985)
C.G. Tuppen, M.R. Taylor, P.L.F. Hemment, R.P. Arrowsmith. Appl. Phys. Lett., 45, 57 (1984)
G.F. Gerofolini, S. Bertoni, P. Fumagalli, L. Meda, C. Spaggiari. Phys. Rev. B, 47, 10174 (1993)
S. Reiss, K.-H. Heinig. Nucl. Instrum. Meth. B, 84, 229 (1994)
S. Reiss, R. Weber, K.-H. Heinig, W. Skorupa. Nucl. Instrum. Meth. B, 89, 337 (1994)
G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, V.P. Popov, S.A. Tijs. Phys. St. Sol. (a), 113, K165 (1989)
G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. Nucl. Instrum. Meth. B, 68, 323 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель