Вышедшие номера
О роли дырок в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций в полупроводниках n-типа проводимости
Шикина Ю.В.1, Шикина Н.И.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 9 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Показано, что неосновные носители (дырки) могут играть определенную роль в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций деформированного n-германия.