Поляризация сверхлюминесценции и анизотропия оптических потерь в волноводной структуре InGaP/GaAs/InGaP
Алешкин В.Я.1, Ахлестина С.А.2, Звонков Б.Н.2, Звонков Н.Б.2, Линькова Е.Р.2, Малкина И.Г.2, Сафьянов Ю.Н.2, Ревин Д.Г.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Проведены структурные исследования и изучены сверхлюминесценция и стимулированное излучение в лазерных структурах InGaP/GaAs/InGaAs/GaAs/InGaP, в которых InGaP играет роль широкозонного материала, а активной областью является квантовая яма InGaAs. Обнаружено, что потери в волноводе в спектральной области вблизи 1 мкм сильно зависят от направления распространения излучения. Анизотропия волновода зависит от знака рассогласования решеток твердого раствора и подложки. Показано, что наблюдаемая поляризация сверхлюминесценции обусловлена зависимостью рассеяния излучения от направления распространения волноводной моды.
- D.P. Bour, T.L. Paoli, R.L. Tornton, D.W. Treat, Y.S. Park, P.S. Zory. Appl. Phys. Lett., 62, 3458 (1993)
- B.N. Zvonkov, N.B. Zvonkov, I.G. Malkina, G.A. Maximov, I.A. Avrutsky, A.V. Vasil'ev, E.M. Dianov, A.M. Prokhorov. Soviet Lightwave Commun., 3, 71 (1993)
- A. Gomio, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Suzuki, T. Yuasa. J. Cryst. Growth, 77, 367 (1986)
- O. Ueda, M. Takikawa, J. Komeno, I. Umebu. Japan. J. Appl. Phys., 26, L1824 (1987)
- Y. Ueno. Appl. Phys. Lett., 64, 553 (1993)
- Sh. Iida, K. Ito. J. Electrochem. Soc., 118, 768 (1971)
- E.A. Caridi, T.Y. Chang. J. Electrochem. Soc., 131, 1440 (1984)
- И.Ф. Михайлов, О.Г. Алавердова, М.Я. Фукс. Зав. лаб., 46, 27 (1980)
- В.Я. Алешкин, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин. ФТП, 27, 1190 (1993)
- S. Jorda, U. Rossler. Superlatt. Microstruct., 8, 481 (1990)
- T.R. Chen, L.E. Eng, Y.H. Zhuang, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 56, 1002 (1990)
- Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., 1981) т. 1
- J.M. Kuo, J.K. Chen, M.C. Wu, M.A. Chin. Appl. Phys. Lett., 59, 2781 (1991)
- G. Zhang, J. Nappi, K. Vanthen, H. Asonen, M. Pessa. Appl. Phys. Lett., 61, 96 (1992)
- K. Mobarhan, M. Raseghi, G. Marquebille, E. Vassilaki. J. Appl. Phys., 72, 4447 (1992)
- S.H. Groves, J.N. Walpole, L.J. Missagia. Appl. Phys. Lett., 61, 255 (1992)
- S.H. Groves. J. Cryst. Growth., 124, 747 (1992)
- G. Zhang, J. Nappi, A. Ovthinnikov, H. Asonen, M. Pessa. J. Appl. Phys., 72, 3788 (1992)
- M.C. de Lond, P.S. Taylor, J.M. Olson. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 948 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.