Проведено исследование кинетики накопления и трансформации радиационных дефектов при имплантации ионов B⁺ с энергией 135 кэВ в n-кремний в интервале доз 10¹¹/3· 10¹³ см^-2. Экспериментально обнаружены качественные изменения в DLTS-спектрах электрически активных дефектов в запрещенной зоне кремния, а именно: а) появление новых пиков - ловушек для неосновных носителей заряда с аномально большим сечением захвата, возрастающим по мере набора дозы ионов; б) увеличение расчетных значений энергии уровней радиационных дефектов (A-центров, E-центров, дивакансий) при одновременном возрастании сечения захвата носителей заряда на них; в) возникновение потенциального барьера для захвата основных носителей заряда на центры. Эти изменения связываются с процессами роста и трансформации дефектных областей. Показано, что пространственное разделение подвижных точечных дефектов играет определяющую роль в кинетике роста крупных дефектных скоплений, их формирование существенно зависит от примесного состава кристалла, причем наличие примесей, активно взаимодействующих с подвижными точечными дефектами, повышает дозу, при которой происходит качественная трансформация радиационных дефектов. В частности, в материалах Si-CZ (получение методом Чохральского) и Si-FZ (получение методом бестигельной зонной плавки) эти дозы составляют 3·10¹² и 3·10¹¹ см^-2 соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.