Вышедшие номера
Процессы образования и отжига радиационных дефектов в p-Si<P,Pt>
Юнусов М.С.1, Ахмадалиев А.1, Сабиров С.С.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Приведены результаты исследования процессов образования и отжига радиационных дефектов, введенных при облучении быстрыми нейтронами атомного реактора в p-Si < P,Pt>. Показано, что при радиационно-термическом воздействии в p-Si<P,Pt> формируются ранее не наблюдавшиеся центры, обусловленные присутствием платины.