Основные примесные состояния атомов серебра, замещающих узлы решетки в кристаллах Ge1- xSi x
Кязимзаде Р.З.1
1Азербайджанская государственная нефтяная академия,, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 13 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.
На основе холловских измерений определены энергии активации акцепторных состояний замещающих узлы решетки атомов Ags в кристаллах Ge1-xSix (0=< x=<0.3). Показано, что энергия активации акцепторных состояний Ags растет линейно с содержанием кремния. В кристаллах с x=< 0.6 Ags ведет себя как трехкратный акцептор, как и в германии. При более высоких содержаниях Si в Ge1-xSix и в самом кремнии Ags является двухкратным акцептором. Обсуждаются вопросы, связанные с расщеплением акцепторных состояний Ags в Ge1-xSix, обусловленным хаотическим распределением компонентов матрицы.
- Л. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
- Б.И. Болтакс, Сюэ-Ши-инь. ФТТ, 2, 2677 (1960)
- F.L. Thiel, S.K. Ghandhi. J. Appl. Phys., 41, 254 (1970)
- W. Fahrner, A. Goetzberher. Appl. Phys. Lett., 21, 329 (1972)
- L.D. Yau, C.T. Sah. Appl. Phys. Lett., 21, 157 (1972)
- E. Schibli, A.G. Milnes. Mater. Sci. Eng., 2, 173 (1867)
- Г.Х. Аждаров, Р.З. Кязимзаде, В.В. Мир-Багиров. ФТП, 26, 553 (1992)
- L. Samuelson. \it Proc. XIII Int. Conf. on Def. Semicond. (USA, California, 1984)
- K. Srinivasan, A. Sher, A. Chen. Phys. Rev. B, 33, 1026 (1986)
- R. Hall, J.H. Racette. J. Appl. Phys., 35, 379 (1964)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук