Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе CH₃SiCl₃--H₂

Зеленин В.В.¹, Соловьев В.Г.¹, Старобинец С.М.¹, Конников С.Г.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Монокристаллические пленки 6H-SiC были выращены газофазной эпитаксией с использованием термического разложения метилтрихлорсилана в водороде. Эпитаксиальный рост изучался в широкой области температур, 1300/ 1700^oC, скоростей газовых потоков, 1.5/ 7.5 см/с, при мольной концентрации метилтрихлорсилана в пределах 0.1/ 0.002%. Важным фактором, влияющим на морфологию слоев, является разориентация подложки на несколько градусов относительно базовой плоскости (0001) в направлении [1120]. Обнаружены точечные образования, идентифицированные рентгеновским микроанализом как кремний. Указаны возможные причины появления кремния.

H.M. Hobgood, J.P. Hugh, J. Greggi, R.H. Hopkins, M. Skowronski. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, Chap. 1 [\it The 5^th SiC and Related Mater. Cong. (Washington D.C., 1993)]
J.A. Powell, L.C. Matus. Springer Proc. in Phys., V. 43. \it Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials II, ed. by M.M. Rahman, C.Y.W. Wang, G.L. Harris (Springer Verlag, Berline, Heidelberg, 1989) p. 14
Hiroguki Matesunami. Physica B, 185, 65 (1993)
M.S. Saidov, Kh.A. Shamuratov, M.A. Kadyrov. J.Cryst. Growth, 87, 519 (1988)
\it Справочник по физическим величинам, под ред. И.С. Григорьевой, Е.З. Мелихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
W.S. Yoo, H. Matsunami. Springer Proc. in Phys., v. 71. \it Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, ed. by C.Y. Rahman, G.L. Harric (Springer Verlag, Berline, Heidelberg, 1992) p. 66
Т.Дж. Льюис. Сб.: \it Карбид кремния, под ред. Г. Хениша, Р. Роя (М., Мир, 1972) с. 310

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель