Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесцентные и структурные исследования монокристаллов GaSb, выращенных из нестехиометрических расплавов

Берт Н.А.¹, Куницын А.Е.¹, Мильвидская А.Г.¹, Мильвидский М.Г.¹, Чалдышев В.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические и люминесцентные свойства и структурное совершенство монокристаллов GaSb, выращенных методом Чохральского из расплавов, сильно обогащенных одним из компонентов. Показано, что избыток галлия в расплаве может приводить к формированию в кристалле включений, размером порядка 100 нм с плотностью 10⁹ см^-3. При этом матрица GaSb остается кристаллически совершенной, а по своим электрическим и люминесцентным свойствам практически не отличается от материала, выращенного в стехиометрических условиях.

F.W. Smith, A.R. Calawa, Chang-Lee Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. IEEE Electron, Dev. Lett., 9, 77 (1988)
M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.-Y. Tsang, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
Ю. Вильке, В.Т. Бублик, А.Н. Попков, В.Б. Освенский, А.Г. Брагинская, Г.П. Колчина. Phys. St. Sol., 64, K31 (1981)
В.Т. Бублик, А.И. Морозов, В.М. Смирнов, А.Г. Мильвидская, Г.П. Колчина. Кристаллография, 37, 1542 (1992)
В.Т. Бублик, А.И. Морозов, В.М. Смирнов, А.Г. Мильвидская, Г.П. Колчина. Кристаллография, 37, 784 (1992)
Y.J. Van der Meulen. J. Phys. Chem. Sol., 28, 25 (1967)
Ю.Ф. Бирюлин, В.П. Гермогенов, Я.И. Отман, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, Л.Е. Эпиктетова. ФТП, 21, 1118 (1987)
S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Budza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель