Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки

Лебедев А.А.¹, Аникин М.М.¹, Кузнецов А.Н.¹, Растегаева М.Г.¹, Савкина Н.С.¹, Сыркин А.Л.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе эпитаксиальных слоев 6H-SiC, выращенных сублимационной эпитаксией, получен полевой транзистор с затвором Шоттки (MESFET). Проведены исследования параметров прибора для разных уровней легирования канала в диапазоне температур (300-700) K. Показано, что оптимизация разработанной технологии может привести к существенному улучшению достигнутых рабочих параметров прибора.

C.A. Mead. Proc. IEEE, 54, 307 (1966)
W.W. Hooper, W.I. Lehner. Proc. IEEE, 55, 1237 (1967)
H.S. Kong, J.W. Palmer, J.T. Glass, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 51, 442 (1987)
H. Diamon, M. Yamanaka, M. Shinohara, E. Sakuma, S. Misawa, K. Endo. Appl. Phys. Lett., 51, 2106 (1987)
J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
M.W. Shin, G.L. Bilbro, R.S. Trew. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, Ch. 6, 641 (1993)
S. Tyc, C. Arnodo. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, Ch. 6, 671 (1993)
M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A.Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In:\it Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, 1992) p. 280
J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 32, 229 (1955)
М.М. Аникин, П.А. Иванов, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 15, 636 (1991)
М.М. Аникин, А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, С.Н. Пятко, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 328 (1991)
S.H. Hagen, A.W.C. van Kemanage, J.W.C. van der Does de Bye. J. Luminecs., 8, 18 (1973)
D.L. Barrett, R.B. Campbell. J. Appl. Phys., 38, 53 (1967)
A.A.Lebedev, M.M. Anikin, M.G. Rastegaeva, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk, V.E. Chelnokov. In: \it Thin Films, ed. by G. Hecht, F. Richter, J. Hahn (Verlag, Germany, 1994) p. 554 (\it Proc. Joint Conf. TAFT'94 \it and HVIFF, Drezden, March 7--11, 1994)
П.А. Иванов, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1913 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель