Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе In_xGa_{1- x}As/InP методом газовой эпитаксии из металл-органических соединений

Торчинская Т.В.¹, Кушниренко В.И.¹, Щербина Б.В.¹, Майнер К.²

¹Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
²Bell-Northen Research, Оттава, Канада

Поступила в редакцию: 18 августа 1994 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В настоящей работе методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследовались глубокие центры в эпитаксиальных слоях In_0.53Ga_0.47As, выращенных методом металл-органической химической газовой эпитаксии. В области простравнственного заряда In_xGa_1-xAs/InP p-i-n-фотодиодов, изготовленных на основе указанных выше слоев, обнаружены три типа ловушек для основных носителей - электронов с энергиями E_c - 0.12, E_c - 0.30, E_c - 0.38 эВ. Последнее две ловушки являются центрами безызлучательной рекомбинации. Обсуждается связь величины обратного тока фотодиодов с присутствием в области пространственного заряда одного из обнаруженных центров.

L.P. Tilly, H.G. Grimmeiss, P.O. Hansson. Phys. Rev. B, 47, 1249 (1993)
E. Towe. J. Appl. Phys., 53, 5136 (1982)
M. Gallant, N. Puetz, A. Zemel, F.R. Sheferd. Appl. Phys. Lett., 52, 733 (1988)
A. Salodatve, M. Hovinen. J. Appl. Phys., 67, 3378 (1990)
В.Я. Принц, О.М. Орлов, Е.М. Скок. А.с. СССР N 573782 (1977). [Бюл. изобретат., No 35 (1977)]
Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
И.Н. Белокурова, О.В. Третяк, С.И. Шаховцова, М.М. Шварц, А.А. Шматов. ФТП, 23, 1869 (1989)
A. Mircea, A. Mitonneau, J. Hallais, M. Jaros. Phys. Rev. B, 16, 3665 (1977)
L.H. Peng, T.P.E. Broekaert, W.Y. Choi, B.R. Bennett, J.H. Smet, V. Diadiuk, S.H. Groves, S.C. Palmateer, N. Pan, C.G. Fonstad. J. Appl. Phys., 72, 3664 (1992)
G.P. Watson, D.G. Ast, T.J. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa. J. Appl. Phys., 71, 3399 (1992)
M. Skowronski, J. Lagowski, M. Milshtein, C.H. Kang, F.P. Dabowski, A. Hennel, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 62, 3791 (1987)
P. Ishida, K. Maeda, S. Takeuchi. J. Appl. Phys., 21., 257 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель