Предложено объяснение наблюдаемой в эксперименте нелинейной зависимости от давления частоты люминесцентного излучения, возникающего при переходах электронов со дна зоны проводимости на основной уровень акцептора Sn _As в GaAs. Согласно положенной в основу расчетов модели замещение мышьяка атомом олова в GaAs ведет к образованию в запрещенной зоне полупроводника двух близко расположенных Gamma₈-уровней - основного и возбужденного, взаимодействие которых при одноосной деформации определяет нелинейный характер зависимости их энергий и частоты люминесцентного излучения от давления. Приведены расчетные зависимости энергии кванта люминесцентного излучения от давления в случае деформаций вдоль осей [001], [111] и [110]. Из сопоставления с экспериментальными данными определены отношения gamma²/Delta и delta²/Delta, где Delta - расстояние между основным и возбужденным Gamma₈-уровнями в отсутствие деформации; gamma и delta - константы, характеризующие взаимодействие между подуровнями основного и возбужденного состояний при P|| [001] и P|| [111] соответственно. В рамках описанной модели рассчитаны зависимости поляризационного отношения от давления для случаев P|| [001], P|| [111], P|| [110] - наблюдается согласие с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.