Исследовано влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, согласованных по параметру решетки с подложками InP. Структуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии без изменения условий осаждения в процессе роста. Было обнаружено, что оптимальная температура роста, соответствующая наибольшей подвижности, измеренной при комнатной температуре, заметно превышает температуру 500 ^oC, традиционно используемую для этих материалов, и составляет приблизительно 540 ^oC. Увеличение подвижности с повышением температуры осаждения связано с улучшением качества InAlAs, тогда как сегрегация In во время роста InGaAs не оказывает заметного влияния на тенденцию в изменении подвижности. Точка, соответствующая максимальной подвижности, хорошо согласуется с температурой начала интенсивной десорбции In во время роста InGaAs. Поэтому снижение подвижности при дальнейшем увеличении температуры роста, вероятно, обусловлено уменьшением содержания In в канале. Полученые результаты показывают, что оптимизация температуры роста позволяет достичь высоких подвижностей (вплоть до 9800 см²/В· с при концентрации двумерных электронов 2.9·10¹² см^-2) в приборных структурах без изменений условий осаждения в процессе выращивания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.