Вышедшие номера
Влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, выращенных на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Фалеев Н.Н.1, Цапульников А.Ф.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Исследовано влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, согласованных по параметру решетки с подложками InP. Структуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии без изменения условий осаждения в процессе роста. Было обнаружено, что оптимальная температура роста, соответствующая наибольшей подвижности, измеренной при комнатной температуре, заметно превышает температуру 500 oC, традиционно используемую для этих материалов, и составляет приблизительно 540 oC. Увеличение подвижности с повышением температуры осаждения связано с улучшением качества InAlAs, тогда как сегрегация In во время роста InGaAs не оказывает заметного влияния на тенденцию в изменении подвижности. Точка, соответствующая максимальной подвижности, хорошо согласуется с температурой начала интенсивной десорбции In во время роста InGaAs. Поэтому снижение подвижности при дальнейшем увеличении температуры роста, вероятно, обусловлено уменьшением содержания In в канале. Полученые результаты показывают, что оптимизация температуры роста позволяет достичь высоких подвижностей (вплоть до 9800 см2/В· с при концентрации двумерных электронов 2.9·1012 см-2) в приборных структурах без изменений условий осаждения в процессе выращивания.