Эпитаксиальные слои ZnSe на GaAs с ориентацией (100) были выращены методом фотостимулированной газофазной эпитаксии с использованием He-Cd-лазера (мощность P~= 1 мВт/см², hnu=2.807 эВ) из порошковых источников в токе очищенного водорода. Скорость роста слоев при этом уменьшилась. Изучение спектров фотолюминесценции выращенных пленок ZnSe при T=4.5 K выявило увеличение интенсивности излучения свободных экситонов по сравнению с образцами, полученными при аналогичных технологических параметрах роста, но без фотостимулирующей подсветки. Кристаллическое совершенство образцов, полученных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии, было также улучшено, что подтверждается рентгенодифракционными исследованиями и анализом морфологии поверхности пленок, проведенным с помощью электронного микроскопа. Обнаруженные эффекты не могут быть объяснены явлением термической десорбции. Мы связываем их с фотоактивационными процессами адсорбции и десорбции, изменением поверхностной подвижности адсорбированных атомов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.