Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Туннелирование электронов в гетероструктурах с одиночным барьером и симметричными спейсерами в продольном магнитном поле

Андерсон Т.Г.¹, Дубровский Ю.В.¹, Ларкин И.А.¹, Морозов С.В.¹, Ханин Ю.Н.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 12 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs с одиночным барьером AlAs толщиной 50, 35 и 25 Angstrem и слабо легированными спейсерами толщиной ~600 Angstrem по обе стороны барьера экспериментально обнаружены осцилляции туннельного тока с периодом, обратно пропорциональным напряженности продольного магнитного поля B. В этих структурах при приложении внешнего напряжения смещения на эмиттерной стороне барьера формируется двумерный (2D) обогащенный слой. Анализ экспериментальных данных показал, что из периода осцилляций нельзя определить концентрацию 2D электронов, а только полное число 2D состояний в обогащенном слое, расположенных ниже уровня Ферми объема эмиттера.

T.W Hickmott. Phys. Rev. B, 32, 6531 (1985)
E. Bockenhoff, K. Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, 38, 10120 (1988)
P.S.S. Guimaraes, D.C. Taylor, B.R. Snell, L. Eaves, K.E. Singer, G. Hill, M.A. Pate, G.A. Toombs, F.W. Sheard. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, L605 (1985)
F.W. Sheard, L. Eaves, G.A. Toombs. Physica Scripta, T19, 179 (1987)
K.S. Chan, F.W. Sheard, G.A. Toombs et al. Superlatt. Microstr., 9, 23 (1991)
E.S. Alves, M.L. Leadbeater, L. Eaves et al. Superlatt. Microstr., 5, 527 (1989)
A.R. Bonnefoi, D.H. Chow, T.C. McGill, J. Appl. Phys., 62, 3836 (1987)
P.Gueret, C. Rossel, E. Marclay, H. Meier. J. Appl. Phys., 66, 278 (1989)
P. Gueret, A. Baratoff, S. Bending et al. In: \it High--Speed Electronics ed. by B.Kallback, H. Beneking. \it Springer Series in Electronics and Photonics (1986) v. 22, p. 24
A. Groshev, G. Schon. Phys. Rev. Lett., 71, 2809 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель