Вышедшие номера
Фотостимулированное усиление фононов, локализованных в двумерном электронном газе
Эпштейн Э.М.1
1Научно-исследовательский институт ''Платан'',, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Рассматриваются фононы, локализованные в двумерном электронном газе, в присутствии сильной электромагнитной волны, электрическое поле которой лежит в плоскости двумерного электронного газа. В предположении, что электромагнитная волна воздействует на фононную подсистему только через посредство двумерного электронного газа, получено дисперсионное уравнение для фононов. В условиях, когда энергия кванта электромагнитной волны велика по сравнению с энергией электронов, появляются новые (запрещенные законами сохранения в отсутствие волны) области электрон-фононного взаимодействия, в том числе области отрицательного затухания (фотостимулированного усиления) фононов.