Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость Cd_xHg_{1- x}Te ( x~= 0.3)

Гусейнов Э.К.¹, Исмайлов Н.Д.¹

¹Научно-исследовательский институт фотоэлектроники Академии наук Азербайджана,, Баку, Азербайджан

Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты исследований кинетики релаксации и спектров фотопроводимости p- и n-Cd_xHg_1-xTe с учетом влияния на фотопроводимость приповерхностной области пространственного заряда. Показано, что изменение фотопроводимости в коротковолновом диапазоне спектра обусловлено вкладом области пространственного заряда в фотопроводимость Cd_xHg_1-xTe и меньшими значениями поверхностной подвижности носителей заряда по сравнению с объемными.

R.A. Kinch, M.I. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, 1649 (1973)
Н.А. Баженов, Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, А.А. Малькова, В.К. Огородников, Т.И. Топиева. ФТП, 16, 109 (1982)
В.М. Петров, В.В. Белов, Л.М. Шаляпина, Е.Н. Фигуровский. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 418 (1974)
С.Г. Гасан-Заде, В.В. Богобоящий, И.П. Жадько, Э.Л. Зинченко, Г.Л. Шепельский. ФТП, 27, 1508 (1993)
А.И. Власенко, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 27, 1392 (1982)
Ю.И. Равич. \it Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Сов. радио, 1967)
М.Л. Шетинин, Н.С. Барышев, И.С. Аверьянов, Ф.П. Волкова, А.П. Черкасов. ФТП, 5, 2350 (1971)
Э.И. Курбанова, Э.К. Гусейнов, Н.Д. Исмайлов, Х.Д. Джалилова. ФТП, 20, 2150 (1986)
А.В. Саченко. УФЖ, 13, 450 (1968)
В.П. Пономаренко, И.В. Шиманский, В.И. Стафеев. ФТП, 22, 62 (1988)
В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.В. Толпыго. \it Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Радио и связь, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель