Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 11 » Статья стр. 1921
>>>
Полупроводниковый карбид кремния --- технология и приборы О б з о р
Иванов П.А., Челноков В.Е.
Поступила в редакцию: 29 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
Продемонстрирован уровень развития карбидкремниевой технологии и приборов, достигнутый в мире за последние несколько лет. Рассмотрены методы выращивания объемных монокристаллов больших размеров из паровой фазы, методы выращивания тонких пленок (сублимационная, жидкофазная и газофазная эпитаксия), сухое травление, термическое окисление. Показан широкий спектр изготовленных в последнее время полупроводниковых приборов, которые сочетают в себе достоинства карбида кремния как широкозонного материала: 1) коротковолновые оптоэлектронные приборы (зеленые, синие и фиолетовые светодиоды, ультрафиолетовые фотоприемники), 2) высокотемпературные электропреобразовательные приборы (диоды, полевые транзисторы с p-n-переходом, n-МОП транзисторы со встроенным и индуцированным каналом, биполярные транзисторы и тиристоры), 3) высокочастотные приборы (микроволновые транзисторы с затвором Шоттки), 4) элементы длительного хранения информации (транзисторные ячейки памяти для перепрограммируемых запоминающих устройств).
  1. J.A. Lely. Ber. Deut. Cerman. Ges., 32, 229 (1955)
  2. R.B. Campbell, H.C. Chang. \it Semiconductors and Semimetals, 7B, 625 (1970)
  3. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Kristal und Technik, 14, 729 (1979)
  4. Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. В сб.: \it Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., Изд-во ЛИЯФ, 1979) с. 136
  5. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
  6. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 52, 146 (1981)
  7. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 46, 403 (1979)
  8. Ф. Райхель, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 19, 67 (1983)
  9. В.И. Левин, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 14, 1062 (1978)
  10. D.L. Barrett, J.P. McHugh, H.M. Hobgood, R.H. Hopkins, P.G. McMullin, R.C. Clarke. J. Cryst. Growth, 128, 358 (1993)
  11. R.C. Glass, C.I. Harris, V.F. Tsvetkov, P.F. Fewster, J.E. Sundgreen, E. Jansen. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 165
  12. R.F. Davis, C.H. Carter, C.E. Hunter. USA Patent N 4, 866, 005 (Sept. 12, 1989)
  13. М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20, 1768 (1984)
  14. A.O. Konstantinov, P.A. Ivanov. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 37
  15. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. ЖТФ, 11, 238 (1985)
  16. В.Ф. Бритун, В.А. Дмитриев, И.В. Емельянова, Н.Г. Иванова, И.В. Попов, М.А. Чернов, В.Г. Циунелис. ЖТФ, 56, 214 (1986)
  17. R.F. Davis, G. Kelner, M. Shur, J.W. Palmour, J.A. Edmond. Proc. IEEE, 79, 677 (1991)
  18. P. Liaw, R.F. Davis. J. Electrochem. Soc., 132, 642 (1985)
  19. H.S. Kong, J.T. Glass, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 64, 2672 (1988)
  20. J.A. Powell, D.J. Larkin, L.G. Matus, W.J. Choyke, J.L. Bradshaw, L. Henderson, M. Yoganathan, J. Yang, P. Pirouz. Appl. Phys. Lett., 56, \it 1353, 1442 (1990)
  21. H. Matsunami. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 45
  22. D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 51
  23. P.G. Neudeck, J.B. Petit, C.S. Salupo. \it Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) p. X-23
  24. А.Л. Сыркин, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1986)
  25. J.W. Palmour, R.F. Davis, T.M. Wallett, K.B. Bhasin. J. Vac. Sci. Techn., A4, 590 (1986)
  26. W.S. Pan, A.J. Steckl. \it Springer Proc. in Phys., ed. by M.M. Rahman, C.Y.-W. Yang, G.L. Harris (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1989, v. 43) p. 217
  27. Z. Zheng, R.E. Tressler, K.E. Spear. J. Electrochem. Soc., 137, 2812 (1990)
  28. M. Yoshikawa, H. Itoh, Y. Morita, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 70, 1309 (1991)
  29. M. Ghezzo, D.M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer, W. Hennessy, D.L. Polla, H. Barkhru. IEEE El. Dev. Lett., 13, 639 (1992)
  30. M. Ghezzo, D.M. Brown, E. Downey, J. Kretchmer. Appl. Phys. Lett., 63, 1206 (1993)
  31. N.A. Rogachev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, V.E. Chelnokov, I.N. Trapeznikova. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 121
  32. K. Kamimura, H. Tanaka, S. Miyazaki, T. Homma, S. Yonekubo, Y. Omuma. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 109
  33. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, М.Г. Касагонова, М.Б. Рейфман, В.Г. Столярова. ФТП, 9, 1238 (1975)
  34. Б.И. Вишневская, В.А. Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ЖТФ, 16, 56 (1990)
  35. А.С. Бараш, Ю.А. Водаков, Е.Н. Кольцова, А.А. Мальцев, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. Письма ЖТФ, 14, 2222 (1988)
  36. Б.И. Вишневская, В.А. Дмитриев, И.Д. Коваленко, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.С. Родкин, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 664 (1988)
  37. J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 453 (1993)
  38. В.М. Гусев, К.Д. Демаков. ФТП, 15, 2430 (1981)
  39. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 240 (1985)
  40. В.А. Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 23, 39 (1989)
  41. M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pytko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In: \it Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992) p. 280
  42. P.A. Glasov. \it Springer Proc. in Phys, ed. by G.L. Harris, C.Y.-W Yang (Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, 1989, v. 34) p. 13
  43. D.M. Brown, E.T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, Y.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron Dev., 40, 325 (1993)
  44. А.С. Тагер. В сб.: \it Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., Изд-во ЛИЯФ, 1979) с. 211
  45. В.А. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 686 (1983)
  46. V.E. Chelnokov, A.M. Strel'chuk, P.A. Ivanov, G. Lentz, C. Parniere. \it Proc. 6th ISPSD (Davos, Switzerland, 1994) p. 253
  47. J.A. Edmond, D.G. Waltz, S. Brueckner, H.S. Kong, J.W. Palmour, C.H. Carter. \it Proc. 1st High Temperature Electronics Conference (Albuquerque NM, USA, 1991) p. 499
  48. O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Janzen, S. Savage, J. Andre, L.P. Rambetg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Submitted to Appl. Phys. Lett
  49. T. Urushidani, S. Kobayashi, T. Kimoto, H. Matsunami. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 475
  50. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.В. Суворов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 20, 844 (1986)
  51. М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
  52. М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
  53. П.А Иванов, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1913 (1991)
  54. М.М Аникин, П.А. Иванов, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 15, 36 (1989)
  55. П.А Иванов. ФТП, 28, 1161 (1994)
  56. J.W. Palmour, H.S. Kong, D.G. Waltz, J.A. Edmond, \it Proc. 1st High Temperature Electronics Conference (Albuquerque NM, USA, 1991) p. 511
  57. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, 17, 1 (1991)
  58. Н.А. Городецкая, Н.Х. Ким, В.П. Растегаев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. \it Расширенные тезисы 8 Всес. конф. по росту кристаллов (Харьков, 1992) с. 23
  59. М.М Аникин, П.А. Иванов, В.П. Растегаев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 27, 102 (1993)
  60. P.A. Ivanov, N.S. Savkina, T.P. Samsonova, V.N. Panteleev, V.E. Chelnokov. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 593
  61. П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 27, 1146 (1993)
  62. П.А. Иванов, А.О. Константинов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 1172 (1994)
  63. R.R Siergiej, A.K. Agarwal, A.A. Burk, R.C. Clarke, H.D. Hobgood, P.G. McMullin, P.A. Orphanos, S. Sriram, T.J. Smith, C.D. Brandt. \it Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) p. XI-23
  64. V. Krishnamurthy, D.M. Brown, M. Chezzo, J. Kretchmer, W.Hennessy, E. Downey, G. Michon. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 483
  65. T. Billon, P. Lassagne, C. Jaussaud, L. Baud, N. Becourt, P. Morfouli, J-L. Ponthenier. \it Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) p. X-29
  66. J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 461 (1993)
  67. D.M. Brown, M. Chezzo, J.W. Kretchmer, E.T. Downey, T. Gorczyca, R.J. Saia, J.A. Edmond, J.W. Palmour, C.H. Carter, G. Gati, S. Dasgupta, J. Pimbley, P. Chow, \it Proc. Government Microelectronics Application Conf. (Orlando FL, USA, 1991) p. 89
  68. J.W. Palmour, R.F. Davis, H.S. Kong, S.F. Corcoran, D.P. Griffis. J. Elecrochem. Soc., 136, 502 (1989)
  69. D.M. Brown, M. Chezzo, J.W. Kretchmer, V. Krishnamurthy, G. Michon, G. Gati. \it Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) p. X-17
  70. M. Bhatnagar, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 645 (1993)
  71. J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. \it Proc. 28th Intersociety Energy Conversion Conf.(Amer. Chem. Soc., 1993) p. 1.249
  72. J.W. Palmour, L.A. Lipkin. \it Proc. 2nd High Temperature Electronics Conference (Charlotte NC, USA, 1994) p. XI-3
  73. P.A. Ivanov, V.E. Chelnokov. Semicond. Sci. Technol. 7, 863 (1992)
  74. J.W. Palmour, C.E. Weitzel, K. Nordquist, C.H. Carter. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 495
  75. S. Sriram, R.C. Clarke, M.H. Hanes, P.G. McMullin, C.D. Brandt, T.J. Smith, A.A. Burk, H.M. Hobgood, D.L. Barret, R.H. Hopkins. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 491
  76. J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 499
  77. C.T. Gardner, J.A. Cooper, M.R. Melloch, J.W. Palmour, C.H. Carter. Appl. Phys. Lett., 61, 1185 (1992)
  78. J.A. Cooper, M.R. Melloch, W. Xie, J.W. Palmour, C.H. Carter. In: \it Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spenser, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, R. Kaplan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 711

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme