Рассматриваемое промежуточное состояние это такое состояние неполного запирания структуры, при котором ток затвора (гейта) недостаточен для полного выключения тока анода, но существенно сжимает токопроводящую область, повышая в ней плотность тока. Этот режим неполного выключения может быть полезен для управления светоизлучающими структурами, позволяя регулировать размер светящейся области, ее положение, яркость излучения, соотношение между различными каналами рекомбинации и т.д. Развита стационарная теория распределения потенциалов и плотностей тока в режиме неполного выключения четырехслойной структуры при различных значениях полных анодных и гейтовых токов. Найдены токовые пределы существования гетерогенных состояний, включающих токопроводящие и ''запертые'' области. Учтено влияние конечной проводимости управляемой (высокоомной) базы. Вычисления выполнены для простейшего случая линейного закона рекомбинации в обеих базах и малых уровней инжекции по крайней мере в управляющей (низкоомной) базе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.