Дефектообразование в поверхностной области кремния при его термическом окислении
Шаповалов В.П.1, Грядун В.И.1, Королев А.Е.1
1Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
Поступила в редакцию: 11 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
Построена модель возникновения механических напряжений в системе Si-SiO2 при высокотемпературном окислении кремния, в которой учитывается скорость окисления и текучесть диоксида кремния при заданной температуре. Рассматриваются начальные стадии окисления в рамках LP-модели Дила и Гроува до толщины SiO2 ~0.25 мкм. Процесс дефектообразования в кремнии на границе раздела Si-SiO2 рассматривается как следствие генерации межузельных атомов кремния под действием механических напряжений. Рассчитаны зависимости поверхностной плотности микродефектов и упругих напряжений в кремнии от толщины окисла. Кривая плотности микродефектов хорошо согласуется с экспериментальными результатами, полученными на пластинах кремния с ориентацией (111) при окислении их в атмосфере влажного кислорода при температуре 1000 oC до толщины ~0.15 мкм. Анализ полученных результатов указывает на существование переходного слоя SiOz в системе Si-SiO2. Рассчитан стехиометрический коэффициент кислорода в переходном слое SiOz на границе раздела Si-SiO2, который составляет величину ~0.5.
- Дж. Пламмер, Б. Дил. \it МОП--СБИС: Моделирование элементов и технологических процессов (М., Мир, 1988) с. 44
- В.П. Шаповалов, В.И. Грядун, В.П. Токарев. ФТП, 27, 1851 (1993)
- В.Г. Литовченко, Р.И. Марченко, Г.Ф. Романова. \it Электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводник--диэлектрик (Новосибирск: Ин-т физики полупроводников, 1974) с. 50
- N.P. Mott. Phil. Mag. B, 55, 117 (1987)
- Н.В. Румак, В.В. Хатько. \it Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике (Минск, Навука i тэхнiка, 1990)
- N.V. Rumak, V.V. Khatko, V.N. Plotnikov. Phys. St. Sol. A, 86, 98 (1984)
- E.P. Etrnisse. Phil. Mag. B, 55, 159 (1987)
- B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
- A.S. Grove. \it Physics and Technology of Semiconductor Devices (Wiley, Pergamon Press, 1967)
- К.Г. Глухенький, Н.А. Зайцев, Н.В. Суровиков. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, вып. 1 (255), 3 (1991)
- K. Nauka, J. Lagowski, H.C. Gatos, O. Ueda. J. Appl. Phys., 60, 615 (1986)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.L. Sukhanov. Sol. St. Electron., 34, 1149 (1991)
- T.Y. Tan, U. Goesele. Appl. Phys. Lett., 30, 86 (1981)
- С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. \it Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
- Я.Е. Гегузин, М.А. Кривоглаз. \it Движение макроскопических включений в твердых телах (М., Металлургия, 1971)
- Е.П. Прокофьев. Электрон. техн., сер. 6, Метериалы, вып. 4 (249), 58 (1990)
- A. De Kock. Phil. Res. Rep., 16, 1 (1973)
- C.R. Grovenor. \it Semicond. Insul. and Thin Film Transistor Technol. Symp. (Boston, USA, December 3--6, 1985) p. 301
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук