Вышедшие номера
Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe (Ga)
Акимов Б.А.1, Албул А.В.1, Ильин В.Ю.1, Некрасов М.Ю.1, Рябов Л.И.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.

Проведены исследования спектров фотопроводимости вблизи края собственного поглощения для монокристаллов и пленок PbTe(Ga) в температурном интервале 77/ 100 K. В монокристаллах обнаруживается резкий пик фотопроводимости в области энергий, на ~ 20мэВ меньших ширины запрещенной зоны. Относительная амплитуда пика определяется способом синтеза монокристаллов, а его энергетическое положение относительно края зоны проводимости практически не зависит от способа синтеза и температуры. В пленках PbTe(Ga) структура края поглощения хорошо описывается известным соотношением для нелегированного PbTe, а амплитуда дополнительного пика мала. Данные интерпретируются в рамках модели электронных переходов, предполагающей существование одно- и двухэлектронных состояний примеси Ga в PbTe.