Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом
Штурбин А.В.1, Шалыгин В.А.1, Стафеев В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
Описан новый метод определения диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников, основанный на бесконтактной регистрации электрических токов, генерируемых в полупроводнике за счет фотомагнитного эффекта. Проведены экспериментальные исследования при температуре 77 K в магнитных полях до 0.2 Тл на объемных образцах (InSb, CdxHg1-xTe) и на эпитаксиальных слоях (CdxHg1-xTe). В условиях поверхностного фотовозбуждения неравновесных носителей заряда максимальная интенсивность генерации электронно-дырочных пар составляла 1019 см-2· с-1. Из анализа полевых и люкс-амперных характеристик фотомагнитного эффекта определены подвижность неосновных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации, зависимость биполярной диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей от уровня возбуждения. Для InSb и CdxHg1-xTe определены константы оже-рекомбинации.
- С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
- Ю.И. Равич. \it Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., 1967)
- А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. \it Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, 1984)
- M.C. Chen. J.Appl. Phys., 64, 945 (1988)
- A.B. Fedortsov, D.G. Letenko, A.Y. Polyakov, V.I. Stafeev, L.E. Vorobyev. Semicond. Sci. Technol., 9, 69 (1994)
- R.A. Laff, H.Y. Fan. Phys. Rev., 121, 53 (1961)
- A.P. Beattie, R.W. Cunningham. Phys. Rev., 125, 533 (1962)
- A.P. Beattie, R.W. Cunningham. J. Appl. Phys., 35, 353 (1964)
- D.L. Polla, S.P. Tobin, M.B. Reine, A.K. Sood. J. Appl. Phys., 52, 5182 (1981)
- С.Г. Гасан-Заде, Л.Ф. Прокопчук, Г.А. Шепельский. ФТП, 18, 563 (1984)
- А.М. Мухитдинов, В.И. Стафеев. ФТП, 26, 1830 (1992)
- А.В. Буянов, С.Г. Гасан-Заде, И.П. Жадько. ФТП, 26, 629 (1992)
- С.А. Студеникин, И.А. Панаев, В.Я. Костюченко, Х.-М.З. Торчинов. ФТП, 27, 744 (1993)
- \it Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., 1976)
- \it Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира (М., 1970)
- J. Tauc. J. Phys. Chem. Sol., 8, 219 (1958)
- Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: \it Физика соединений AIIBVI (М., 1986)
- Л.П. Большаков, А. Наурызбаев, А.С. Филипченко. ФТП, 14, 1712 (1980)
- К. Хилсум, А. Роуз-Инс. \it Полупроводники типа A^IIIB^V (М., 1963)
- А. Кроткус, А. Плитникас. ФТП, 13, 1230 (1979)
- M.Y. Pines, O.M. Stafudd. Infr. Phys., 20, 73 (1980)
- H. Bruhns, H. Kruse. Phys. St. Sol. (b), 97, 125 (1980)
- Л.Е. Воробьев, В.И. Стафеев, В.А. Шалыгин, А.В. Штурбин. А. с. N 1190241 (1985)
- А.В. Штурбин, В.А. Шалыгин. Патент РФ N 2001466 (1993)
- В.А. Шалыгин, А.В. Штурбин, В.С. Антюшин. Дефектоскопия, 10, 81 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
