Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические явления в структурах на высокоомных полупроводниковых кристаллах с тонким слоем диэлектрика на границе полупроводник--металл
Кашерининов П.Г.1, Кичаев А.В.1, Томасов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1995 г.
В реальных фотосопротивлениях на высокоомных (полуизолирующих) полупроводниковых кристаллах CdTe (в структурах металл-тонкий диэлектрик-полупроводник-тонкий диэлектрик-металл) обнаружен и исследован ранее не известный эффект гигантской пространственной перестройки напряженности электрического поля в кристалле при освещении структуры. Предлагается новая концепция фотоэлектрических явлений в высокоомных полупроводниковых кристаллах, базирующаяся на представлении об определяющей роли в этих явлениях эффекта перестройки поля в условиях не изменяющегося при освещении времени жизни носителей. Описывается природа эффекта, его проявлением объясняется зависимость характеристик структур от параметров кристалла и диэлектрических слоев, рассматриваются пути направленного создания структур с заданными фотоэлектрическими характеристиками для новых приборов и научных методик.
- Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 221, вып. 1, 77 (1975)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, вып. 17, 48 (1993)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 20, вып. 18, 16 (1994)
- П.Г.Кашерининов, Д.Г. Матюхин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 21, вып. 6, (1995)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65, (1995)
- Р. Бьюб. \it Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
- А.Г. Милнс. \it Глубокие примеси в полупроводниках (М., Мир, 1976)
- В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевская. \it Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (М., Сов. радио, 1974)
- Н. Мотт, Р. Герни. \it Электронные процессы в ионных кристаллах (М., Иностр. лит., 1950)
- М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
- M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
- M.A. Green, V.A.K. Temple, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 18, 745 (1975)
- А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
- А.Я. Вуль, В.И. Федоров, Ю.Ф. Бирюлин, Ю.С. Зинчик, С.В. Козырев, И.И. Сайдышев, К.В. Санин. ФТП, 15, 525 (1981)
- А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15, 142 (1981)
- А.Я. Вуль, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1367 (1983)
- G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabri, V.Svelto. Nucl. Instrum. Meth., 92, 137 (1971)
- Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, Г.И. Фризен, В.Н. Черный. ФТП, 6, 2114 (1972)
- N.V. Agrinskaya, E.N. Arkadeva. Phys. St. Sol. (b), 143, K103 (1987)
- M.Hage-Ali, R. Stuck, C. Scharager, P. Siffert. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-26, 281 (1979)
- Е.Р. Мустель, В.Н. Парыгин. \it Методы модулиции и сканирования света (М., Наука, 1970)
- А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975)
- G.Fabri, V. Svelto. Nucl. Instrum Meth., 35, 33 (1965)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
