Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии

Матвеева А.Б.¹, Константинова Е.А.¹, Тимошенко В.Ю.¹, Кашкаров П.К.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 13 февраля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены спектральные и кинетические зависимости фотовольтаических эффектов в структурах пористый кремний-кристаллическая подложка. Исследовались как свежеприготовленные, так и специально состаренные на воздухе образцы. Впервые помимо компоненты фотоэдс, связанной с областью обеднения в кремниевой подложке на границе с пористым слоем, обнаружена фотоэдс, формируемая в самом пористом кремнии. Установлено, что на поверхности пор присутствуют электронные состояния с временами перезарядки порядка нескольких минут. Свойства этих состояний изменялись при термовакуумных обработках структур. На состаренных образцах зарегистрированы также ''сверхмедленные'' ловушки для дырок с временами релаксации несколько часов. Указанные ловушки локализованы в оксиде на поверхности кремниевого скелета пористого слоя. На основе полученных данных построена энергетическая диаграмма, поясняющая возникновение фотовольтаических эффектов в изучаемых структурах.

L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
P.C. Searson, J.M. Macaulay, S.M. Prokes. J. Electrochem. Soc., 139, 3373 (1992)
G. Bomchil, A. Halimaoui, I. Sagnes, P.A. Badoz, I. Berbezier, P. Perret, B. Lambert, G. Vincent, L. Garchery, J.L. Regolini. Appl. Surf. Sci., 65/66, 394 (1993)
М.Б. Бреслер, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 871 (1993)
F. Yan, X.-M. Bao, T. Gao. Sol. St. Commun., 91, 341 (1994)
Zhengfu Han, Junyan Shi, Hai Tao, Li Gong, Shaojun Fu, Chaoshu Shi, Xingyi Zhang. Phys. Lett. A, 186, 265 (1994)
В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. \it Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках (М., 1979)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. \it Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель