Изучалось изменение интенсивности фотолюминесценции GaAs (100) после пассивации поверхности в водных растворах сульфида натрия в зависимости от времени обработки, температуры и состава сульфидного раствора. Показано, что с увеличением времени обработки в сульфидном растворе интенсивность максимума фотолюминесценции сначала возрастает, а затем выходит на насыщение, причем время выхода на насыщение зависит от щелочности раствора и от концентрации в нем сульфид-ионов. При фиксированном времени обработки интенсивность максимума фотолюминесценции возрастает с увеличением температуры сульфидирования. Данные рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии сульфидированных поверхностей, во-первых, показывают наличие связей Ga-S и, во-вторых, указывают на уменьшение содержания окислов мышьяка на поверхности полупроводника с увеличением температуры сульфидирования. Возрастание интенсивности фотолюминесценции при сульфидной пассивации связывается главным образом с уменьшением содержания этих окислов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.