Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кинетика пассивации поверхности GaAs (100) в водных растворах сульфида натрия

Бессолов В.Н.¹, Иванков А.Ф.¹, Коненкова Е.В.¹, Лебедев М.В.¹, Стрыканов В.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 февраля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучалось изменение интенсивности фотолюминесценции GaAs (100) после пассивации поверхности в водных растворах сульфида натрия в зависимости от времени обработки, температуры и состава сульфидного раствора. Показано, что с увеличением времени обработки в сульфидном растворе интенсивность максимума фотолюминесценции сначала возрастает, а затем выходит на насыщение, причем время выхода на насыщение зависит от щелочности раствора и от концентрации в нем сульфид-ионов. При фиксированном времени обработки интенсивность максимума фотолюминесценции возрастает с увеличением температуры сульфидирования. Данные рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии сульфидированных поверхностей, во-первых, показывают наличие связей Ga-S и, во-вторых, указывают на уменьшение содержания окислов мышьяка на поверхности полупроводника с увеличением температуры сульфидирования. Возрастание интенсивности фотолюминесценции при сульфидной пассивации связывается главным образом с уменьшением содержания этих окислов.

C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
E. Yablonovitch, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
T. Tiedje, K.M. Kolbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 837 (1989)
Y. Fukuda, N. Sanada, M. Kuroda, Y. Suzuki. Appl. Phys. Lett., 61, 955 (1992)
J.S. Herman, F.L. Terry, Jr. Appl. Phys. Lett., 60, 716 (1992)
S. Kamiyama, Y. Mori, Y. Takahashi, K. Ohnaka. Appl. Phys. Lett., 58, 2595 (1991)
L.F. DeChiaro, C. J. Sandroff. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 561 (1992)
W.S. Hobson, U. Mohideen, S.J. Pearton, R.E. Slusher, F. Ren. Electron. Lett., 29, 2199 (1993)
A.J. Howard, C.I.H. Ashbey, J.A. Lott, R.P. Scheneider, R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1063 (1994)
R. Iyer, R.R. Chang, D.L. Lile. Appl. Phys. Lett., 53, 134 (1988)
H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992)
J.L. Leclercq, E. Bergignat, G. Hollinger. Semicond. Sci. Technol., 10, 95 (1995)
C.J. Sandroff, M.S. Hegde, C.C. Chang. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 841 (1989)
M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgas. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 845 (1989)
J. Shin, K.M. Geib, C.W.Wilmsen. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2337 (1991)
H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci., 242, 335 (1991)
H. Hirayama, Y. Matsumoto, H. Oigawa, Y. Nannichi. Appl. Phys. Lett., 54, 2565 (1989)
K.M. Geib, J. Shin, C.W. Wilmsen. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 838 (1990)
Z.S. Li, W.Z. Cai, R.Z. Su, G.S. Dong, D.M. Huang, X.M. Ding, X.Y. Hoy, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3425 (1994)
X.Y. Hou, W.Z. Cai, Z.Q. He, P.H. Hao, Z.S. Li, X.M. Ding, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 60, 2252 (1992)
V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993)
В.Н. Бессолов, С.Г. Ершов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТТ, 36, 3601 (1994)
J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben. \it Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, ed. by. J.Chastain (Perkin--Elmer Corp., 1992)
В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Т.В. Львова, Е.Б. Новиков. ФТТ, 34, 1713 (1992)
T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6303 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель