Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эволюция структурных макродефектов в твердых растворах Cd_xHg_{1- x}Te

Власенко А.И.¹, Любченко А.В.¹, Чалая В.Г.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 21 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Электронно-зондовыми методами исследована эволюция топологии приповерхностных ростовых и введенных механической обработкой макродефектов кристаллов Cd_xHg_1-xTe (x~=0.2). При длительном хранении образцов в области макродефектов наблюдалось образование включений, насыщенных ртутью или теллуром. По скорости роста ртутных включений на этапе их формирования оценены эффективные коэффициенты самодиффузии ртути, превышающие известные из литературных источников. Обсуждаются возможные причины такого расхождения, связанные, в частности, с участием в процессе массопереноса внутренних упругих напряжений, возникающих при механической обработке поверхности, наложением различных по механизмам диффузионных потоков и др.

Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. \it Узкозонные полупроводники. Получение и свойства (Киев, 1984).
D.J. Williams. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 2184 (1986)
P.L. Anderson, H.F. Schaake, J.N. Fregilgas. J. Vac. Sci. Technol., 21, 125 (1982)
А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, В.З. Латута, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Письма ЖТФ, 5, 1013 (1979)
А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. \it Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, 1984)
А.В. Любченко, Т.Г. Крыштаб, И.М. Раренко, Ю.Н. Гаврилюк. УФЖ, 25, 296 (1980)
И.С. Вирт, Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко, П.М. Панькив, Д.И. Цюцюра. Поверхность, вып. 4, 60 (1988)
С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
И.С. Вирт, В.В. Дякин, А.В. Любченко, В.В. Коваль, Д.И. Цюцюра. УФЖ, 32, 745 (1987)
В.Б. Брик. \it Диффузия и фазовые превращения в металлах и сплавах (Киев, 1985)
Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. В кн.: \it Физика соединений A^IIB^VI (М., 1986)
А.М. Косевич. \it Физическая механика реальных кристаллов (Киев, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель