Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 23 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Рассмотрен эффект ''отрицательной емкости'' в однородных (без барьеров) полупроводниковых структурах. Показано, что отрицательная емкость возникает, если проводимость в структуре имеет инерционный характер и реактивная компонента тока превышает максвелловский ток смещения.
- J. Werner, A. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., 60, 53 (1988)
- X. Wu, E.S. Yang, H.L. Evans. J. Appl. Phys., 68, 2845 (1990)
- K. Steiner, N. Uchitami, N. Toyoda. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 1113 (1990)
- S.H. Zoidi, A.K. Jonsher. Semicond. Sci. Technol., 2, 587 (1987)
- А.П. Болтаев, Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 28, 1569 (1994)
- M. Beale, P. MacKay, Phil. Mag. B, 65, 47 (1992)
- M. Beale. Phil. Mag. B, 65, 65 (1992)
- Н.А. Пенин. ФТП, 23, 466 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
