Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1996, выпуск 4 » Статья стр. 656
<<<>>>
Электропоглощение и лазерная генерация в диодах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSeS
Торопов А.А.1, Иванов С.В.1, Шубина Т.В.1, Лебедев А.В.1, Сорокин С.В.1, Ильинская Н.Д.1, Максимов М.В.1, Копьев П.С.1, Парк Х.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт прогрессивных технологий корпорации ''Самсунг Электроникс'', 440-600 Сувон, Республика Корея
Поступила в редакцию: 5 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
PDF версия
Исследованы спектральные электрооптические характеристики ZnCdSe/ZnSeS лазерных диодов с относительно широкими квантовыми ямами (12-15 нм). Измеренные при 300 K спектры дифференциального волноводного электропропускания позволили идентифицировать наблюдаемый эффект электрического поля как эффект Келдыша-Франца и определить положения краев поглощения, связанных с тяжелыми и легкими дырками. Проведен сравнительный анализ спектров лазерной генерации для структур, содержащих одну или несколько квантовых ям. В структуре с одиночной квантовой ямой генерация возникает вблизи края поглощения тяжелых дырок, демонстрируя несущественность роли экситонов в процессе оптического усиления. Дополнительное поглощение в неоднородно накаченных слоях активной области лазера с несколькими квантовыми ямами обуславливает большие пороги и меньшую внешнюю квантовую эффективность генерации.
  1. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. Depuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 59, 1273 (1991)
  2. D.C. Grillo, Y. Fan, J. Han, L. He, R.L. Gunshor, A. Salokatve, M. Hagerott, H. Jeon, A.V. Nuurmikko, G.C. Hua, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 63, 2723 (1993)
  3. T. Ohata, S. Itoh, N. Nakayama, S. Matsumoto, K. Nakano, M. Ozawa, H. Okuyama, S. Tomiya, M. Ikeda, A. Ishibashi. \it International Workshop: ZnSe-Based Blue-Green Laser Structures, Wurzburg, Sep. 18--23, 1994
  4. J.M. DePuydt, M.A. Haase, S. Guha, J. Qiu, H. Cheng, B.J. Wu, G.E. Hцfler, G. Meis-Haugen, M.S. Hagedorn, P.F. Baude. J. Cryst. Growth, 138, 667 (1994)
  5. A. Ishibashi, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 138, 677 (1994)
  6. Y. Fan, J. Han, L. He, J. Saraie, R.L. Gunshor, M. Hagerott, H. Jeon, V. Nurmikko, G.C. Hua, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 61 (1992)
  7. D. Ahn, T.K. Yoo, H.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 59, 2669 (1991)
  8. J. Ding, H. Jeon, T. Ishihara, M. Hagerott, A.V. Nurmikko, H. Luo, M. Samarth, J. Furdyna. Phys. Rev. Lett., 69, 1707 (1992)
  9. J. Ding, M. Hagerrot, T. Ishihara, H. Jeon, A.V. Nurmikko. Phys. Rev. B, 47, 10528 (1993)
  10. Y. Kawakami, I. Hauksson, J. Simpson, H. Stewart, I. Galbraith, K.A. Prior, B.C. Cavenett. J. Cryst. Growth, 138, 759 (1994)
  11. J. Ding, M. Hagerott, A. Salokatve, H. Jeon, A. Nurmikko, D.C. Grillo, J. Han, H. Li, R.L. Gunshor. Phys. Rev. B, 50, 5787 (1994)
  12. P.M. Mensz. J. Cryst. Growth, 138, 697 (1994)
  13. S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, T.V. Shubina, A.A. Toropov. Semicond. Sci. Technol., 8, 357 (1993)
  14. Zh.I. Alferov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, A.V. Lebedev, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, I.V. Sedova, T.V. Shubina, A.A. Toropov. Superlat. Microstruct., 15, 65 (1994)
  15. D.B. Hall, C. Yeh. J. Appl. Phys., 44, 2271 (1973)
  16. S. Ozaki, S. Adachi. J. Appl. Phys., 75, 7470 (1994)
  17. N.T. Pelekanos, J. Ding, M. Hagerott, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 45, 6037 (1992)
  18. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. B, 32, 1043 (1985)
  19. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, S. Schmitt-Rink. Phys. Rev. B, 33, 6976 (1986)
  20. K. Tharmalingam. Phys. Rev., 130, 2204 (1963)
  21. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  22. Y. Wu, K. Ichino, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 1737 (1992)
  23. N.K. Dutta. IEEE J. Quant. Electron., 19, 794 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme