Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Последовательные превращения золотосодержащих комплексов в кремнии n-типа проводимости при насыщении атомарным водородом

Парахонский А.Л.¹, Феклисова О.В.¹, Карелин С.С.¹, Ярыкин Н.А.¹

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 30 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследуется энергетический спектр и пространственное распределение центров с глубокими уровнями, возникающих в кристаллах кремния, легированных золотом, в результате насыщения атомарным водородом при комнатной температуре. Обнаружено, что пассивация электрической активности атомов золота в кремнии протекает через промежуточные стадии, определяемые последовательным присоединением атомов водорода.

S.J. Pearton, A.J. Tavendale. Phys. Rev. B, 26, 7105 (1982)
S.J. Pearton, J.W. Corbett, T.S. Shi. Appl. Phys. A, 43, 153 (1987)
S.J. Pearton. In: \it Semiconductors and Semimetals, ed. by J.I. Pankove, N.M. Johnson (Academic, San Diego, 1991), v. 34, p. 66
С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов. ФТП, 22 922 (1988)
E.O. Sveinbjornsson, O. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 61, 2323 (1992)
T. Sadoh, H. Nakashima, T. Tsurushima. J. Appl. Phys., 72, 520 (1992)
H. Feichtinger, E. Sturm. Mater. Sci. Forum, 143--147, 111 (1994)
E.O. Sveinbjornsson, G.I. Andersson, O. Engstrom. Phys. Rev. B, 49, 7801 (1994)
S. Shapoval, P. Bulkin, A. Chumakov. Vacuum, 43, 195 (1992)
О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП, 28, 2179 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель