<< Гашение>> замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
Крещук А.М.1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Исследовались изменения свойств низкоразмерного электронного газа в гетероструктурах под воздействием электрических импульсов различной амплитуды и длительности при гелиевых температурах. Продемонстрирована возможность управления параметрами низкоразмерных электронов и геометрическими размерами проводящего канала в субмикронных квантовых нитях за счет приложения к структуре коротких электрических импульсов. Показано, что воздействие электрических и световых импульсов приводит к противоположным изменениям свойств электронного газа, что позволяет говорить о ''гашении'' замороженной фотопроводимости.
- A.M. Kreshchuk, M.M. Kulagina, S.V. Novikov, I.G. Savel'ev, A. Shik, G.D. Kpshidze. Superlat. Microstruct., 16, 153 (1994)
- В. Воробьева, М.В. Егорова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. Письма ЖТФ, 15, 73 (1989)
- Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22, 1948 (1988)
- В.В. Воробьева, М.В. Егорова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 23, 1699 (1989)
- Н.А. Берт, В.В. Воробьева, М.В. Воронцова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, К.Ю. Погребицкий, И.Г. Савельев, Д.Ж. Сайфидинов, И.П. Сошников, А.Я. Шик. ФТП, 24, 653 (1990)
- Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов. Письма ЖЭТФ, 33, 515 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.