Двумерный электронный газ на поверхности CdxHg1-xTe вблизи перехода бесщелевая--узкощелевая фаза
Хасбулатов А.М.1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 5 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Исследованы компоненты тензора сопротивления и осцилляции Шубникова-де-Гааза на одном и том же монокристалле Cd0.16Hg0.84Te периодически на протяжении 10 лет. Деградация свойств объема и поверхности приводит к исчезновению осцилляций от двумерных и оъемных электронов. В результате повторного травления осцилляции от двумерных электронов возникают вновь.
- А.М. Хасбулатов, Д.В. Машовец, Р.В. Парфеньев. \it Матер. 5 Всес. симп. "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Львов, 1980) ч. 1, с. 47
- В.В. Косарев, А.М. Хасбулатов и др. \it Тр. Всес. конф. по физике полупроводников (Баку, 1982) т. 1, с. 213
- Н.Н. Берченко и др. Зарубеж. электрон. техн., вып. 3, 3 (1981)
- T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
- А.М. Хасбулатов. В сб.: \it Перенос носителей заряда и тепла в полупроводниках (Махачкала, 1986) с. 59
- Y. Takida, K. Arai, Y. Uemura. \it Lect. Notes in Phys. (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 1982) v. 152, p. 101
- В.А. Погребняк, Д.Д. Халамейда, В.М. Яковенко. Письма ЖЭТФ, 46, 167 (1987)
- Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. \it Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства (Киев, Наук. думка, 1984) с. 288
- R. Dornhaus, G. Nimtz. \it Springer Tracts in Modern Phisics, v. 98: \it Narrow-Gap Semicond. (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 1985) p. 300
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
