Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двумерный электронный газ на поверхности Cd_xHg_1-xTe вблизи перехода бесщелевая--узкощелевая фаза

Хасбулатов А.М.¹

¹Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия Dagestan State University, Makhachkala, Dagestan Republic, Russia

Поступила в редакцию: 5 июля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы компоненты тензора сопротивления и осцилляции Шубникова-де-Гааза на одном и том же монокристалле Cd_0.16Hg_0.84Te периодически на протяжении 10 лет. Деградация свойств объема и поверхности приводит к исчезновению осцилляций от двумерных и оъемных электронов. В результате повторного травления осцилляции от двумерных электронов возникают вновь.

А.М. Хасбулатов, Д.В. Машовец, Р.В. Парфеньев. \it Матер. 5 Всес. симп. "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Львов, 1980) ч. 1, с. 47
В.В. Косарев, А.М. Хасбулатов и др. \it Тр. Всес. конф. по физике полупроводников (Баку, 1982) т. 1, с. 213
Н.Н. Берченко и др. Зарубеж. электрон. техн., вып. 3, 3 (1981)
T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
А.М. Хасбулатов. В сб.: \it Перенос носителей заряда и тепла в полупроводниках (Махачкала, 1986) с. 59
Y. Takida, K. Arai, Y. Uemura. \it Lect. Notes in Phys. (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 1982) v. 152, p. 101
В.А. Погребняк, Д.Д. Халамейда, В.М. Яковенко. Письма ЖЭТФ, 46, 167 (1987)
Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. \it Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства (Киев, Наук. думка, 1984) с. 288
R. Dornhaus, G. Nimtz. \it Springer Tracts in Modern Phisics, v. 98: \it Narrow-Gap Semicond. (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 1985) p. 300

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель