Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперная характеристика n-p-p-=sup=-+-=/sup=--структур на основе твердого раствора кремний--германий, компенсированного хромом

Саидов А.С.¹, Лейдерман А.Ю.¹, Сапаев Б.¹, Каражанов С.Ж.¹, Сапаров Д.В.¹

¹Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Physicotechnical Institute, Research-and-Production Association “Physics–Sun”, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование статистических токов n-p-p⁺-структур, изготовленных на основе твердого раствора кремний-германий, компенсированного хромом. Обнаружено, что ВАХ таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V₀exp(JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения.

A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Sol. St. Commun., 27, 339 (1978)
П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках (Ташкент, ФАН, 1971)
Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель