Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Обратимые и необратимые изменения диэлектрических свойств кристаллов ZnSe, вызванные излучением CO 2-лазера
1Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина 
Поступила в редакцию: 10 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Показано, что возникшие в результате лазерного воздействия дефекты структуры и неоднородности, породив электрическое и упругое поля, существенно влияют на характер температурных зависимостей действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости кристаллов ZnSe. Изменение этих зависимостей при термоциклировании характеризует эволюцию внутренних полей.
- В.С. Голубев, А.Н. Кокора, В.А. Ульянов. Препринт НИЦТЛ АН СССР 86--14 (Троицк Московской обл., 1986)
- Ю.А. Загоруйко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, О.Н. Чугай. Изв. РАН, 57, 180 (1993)
- В.П. Мигаль, А.Л. Рвачев, О.Н. Чугай. ФТП, 19, 1517 (1985)
- J. Strzalkowski, S. Jozhi, C.R. Crowell. Appl. Phys. Lett., 28, 350 (1976)
- Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков (Киев, 1980)
- В.П. Мигаль, О.Н. Чугай. Изв. АН СССР. Неорг. матер. вып. 6, 1315 (1991)
- А.А. Маненков, Г.А. Матюхин, В.С. Нечитайленко, А.М. Прохоров, А.С. Цаприлов. Квант. электрон., 10, 2426 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
