Методами фотолюминесцентной, а также колебательной спектроскопии (рамановское рассеяние, отражение в инфракрасной области спектра) исследованы образцы пористого SiC, полученные из одной кристаллической пленки 6H-SiC n-типа проводимости (n₀=10¹⁷ см^-3). Показано, что эффективная фотолюминесценция в диапазоне (2.5-2.8) эВ при межзонном возбуждении возникает на тех образцах, на которых хорошо обнаруживается нанокристаллическая фаза beta-SiC, появляющаяся на поверхности пор при определенных режимах анодного травления. Сделан вывод о связи наблюдаемой фотолюминесценции именно с возникновением указанной фазы beta-SiC. Сдвиг спектрального максимума фотолюминесценции в сторону больших энергий (по сравнению с кристаллическим политипом 3C-SiC) объясняется квантово-размерными эффектами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.