Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинационно-стимулированный отжиг в слоях GaAs и AlGaAs

Соболев М.М.¹, Абрамов А.В.¹, Дерягин Н.Г.¹, Дерягин А.Г.¹, Кучинский В.И.¹, Папенцев М.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 ноября 1995 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные слои GaAs и AlGaAs, выращенные при сверхвысоких скоростях охлаждения, исследовались с помощью измерений спектров по методу DLTS и фотолюминесценции. Было обнаружено, что неравновесные условия роста приводят к формированию дефектов, характерных для радиационно-облученных GaAs и AlGaAs и связанных с центрами типа V_As и As_Ga. После облучения этих слоев лазером с длиной волны lambda=0.51 мкм наблюдались значительные изменения в спектрах DLTS для GaAs и AlGaAs и спектрах фотолюминесценции AlGaAs. Эти изменения связываются с процессом частичного оптически индуцированного отжига дефектов и с процессом рекомбинационно-стимулированной диффузии донорной примеси (D), приводящим к образованию комплекса V_As-D.

A. Mitoneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
М.М. Соболев, С.Г. Конников, М.Н. Степанова. ФТП, 18, 383 (1984)
М.М. Соболев, П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.М. Майсурадзе. ФТП, 23, 1058 (1989)
П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
А.В. Абрамов, Б.Я. Бер, Н.Г. Дерягин, А.В. Меркулов, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 21, 34 (1995)
D.V. Lang, R.A. Logan, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 15, 4874 (1977)
D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 41, 8485 (1990)
D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. B, 19, 1015 (1979)
P.K. Bhattacharya, S. Subramanian, M.J. Ludovise. J. Appl. Phys., 55, 3664 (1984)
S. Makram-Ebeid, P. Boher. Revue Phys. Appl., 23, 847 (1988)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
L. Pavesi, N.H. Ku, J.D. Ganie're, F.K. Renhart, N. Baba-Ali, I. Harison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
D.V. Lang, L.C. Kimerling. Phys. Rev. Lett., 33, 489 (1974)
M. Hamatsu, K. Wada. Appl. Phys. Lett., 18, 2015 (1991)
D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10063 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель