Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об идентификации точечных дефектов вблизи границы раздела полупроводников посредством возмущения акустической волной
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 4 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
Эпитаксиальные пленки SiGe, нанесенные на подложку Si с ориентацией (100), изучены методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней с возмущающим воздействием акустической волны в мегагерцовом диапазоне частот. Зарегистрировано существенное различие во влиянии акустической волны на уровни дефектов с энергией активации ~0.2 и 0.4 эВ. Обнруженный эффект позволяет предположительно связать уровень с энергией 0.4 эВ с точечными дефектами, локализованными вблизи границы раздела.
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. \it Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- V. Nagesh, E.-L. Hellqvist, H.G. Grimmeiss, K.L. Ljutovich, A.S. Ljutovich. Sol. St. Commun., 75, 151 (1990)
- H.B. Erzgraber, G. Kissinger, D. Kruger, T. Morgenstern, K. Schmalz, J. Schilz, M. Kurten, A. Osinsky. Mater. Sci. Forum, 143--147, 489 (1994)
- G. Bremond, A. Souifi, P. Degroodt, P. Warren, D. Dutartre, G. Guillot. Mater. Sci. Forum, 143--147 495 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
