Вышедшие номера
Влияние квазилокальных состояний In на дефектообразование в PbTe
Немов С.А.1, Прошин В.И.1, Абайдулина Т.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

На примере примеси In и PbTe исследовано влияние частично заполненных электронами амфотерных примесных состояний на процесс дефектообразования в узкощелевых полупроводниках. На основании экспериментальных данных по явлению самокомпенсации в системе PbTe:In,Te ex в рамках термодинамической теории рассчитана зависимость концентрации компенсирующих вакансий свинца nv от содержания примеси In в образцах. Выполненные расчеты свидетельствуют о сильном влиянии энергетического положения амфотерного уровня на характер процесса дефектообразования. Возможно не только увеличение концентрации компенсирующих дефектов (явление самокомпенсации), но и независимость их концентрации и даже уменьшение nv по мере роста содержания примеси.