Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оценка влияния эффектов сильного легирования и высокого уровня инжекции на фотовольтаический эффект в p⁺-- n-- n⁺-структурах с вертикальными переходами

Мнацаканов Т.Т.¹, Шуман В.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 ноября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрено влияние совокупности эффектов сильного легирования и высокого уровня инжекции на характеристики кремниевых солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами. Показано, что оба эффекта могут оказать существенное влияние на ограничение параметров солнечных элементов. Из всей совокупности эффектов легирования наиболее существенным оказывается эффект уменьшения ширины запрещенной зоны кремния.

F.A. Lindholm, C.T. Sah. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 299 (1977)
J.R. Hauser. P.M. Dunbar. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 305 (1977)
M.A. Green. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 671 (1984)
P. Campbell, M.A. Green. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 234 (1986)
S.K. Pang, A.W. Smith, A. Rohatgi. IEEE Trans. Electron Dev., ED-42, 662 (1995)
C. Goradia, B.L. Sater. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 342 (1977)
З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
И.В. Грехов, А.Е. Отблеск. РЭ, 19, 1483 (1974)
A. Herlet. Sol. St. Electron., 11, 717 (1968)
D.A. Kleinman. Bell Syst. Techn. J., 35, 685 (1956)
А.М. Васильев. РЭ, 13, 108 (1968)
Т.Т. Мнацаканов, Т.Е. Тугушева. РЭ, 30, 127 (1985)
В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 23, 1658 (1989)
T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I.Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель