Исследован аномальный характер температурной зависимости электропроводности sigma фоточувствительных тонких пленок CdSe, в которых впервые обнаружено инфракрасное гашение равновесной проводимости. Приведены результаты измерения и анализ кинетических параметров sigma _d, n, mu, измеренных в темноте, в диапазоне 77/523 K для образцов CdSe : Cd : Cu : Cl при разных способах термообработки. Установлено, что наблюдаемые аномальные эффекты обусловлены перезарядкой объемных глубоких r-, s-центров рекомбинации в области пространственного заряда и модуляцией как этой области, так и дрейфовых барьеров на границах кристаллитов при нагревании или под действием инфракрасного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.